氮化铝陶瓷

氮化铝基板描述：氮化铝基板采用流延成型工艺，以氮化铝粉末为原料，经高温烧结制成。它具有氮化铝材料的所有独特性能，满足电子封装的要求。

氮化铝针棒具有优异的导热性能（是氧化铝陶瓷的5-10倍）、低介电常数和介电损耗、可靠的绝缘性能、优异的机械性能、无毒、耐高温、耐化学腐蚀，且热膨胀系数与硅相近。它广泛应用于通信设备、高亮度LED、电力电子器件等行业。

氮化铝陶瓷基板具有极佳的导热性能，是目前导热材料领域中导热性能优异的材料之一。它广泛应用于混合集成电路互连基板、微波器件、光电通信、传感器、多芯片模块（MCM）、光电器件基板、陶瓷载体、激光载体、片式电容器、叉指电容器和螺旋电感器等领域。该基板可根据客户图纸定制各种规格和形状，并可进行切割、冲孔、划线和激光加工。

氮化铝陶瓷叉具有优异的物理性能，例如高导热性、低介电常数、可靠的电绝缘性、与硅相匹配的热膨胀系数、绝缘性和无毒性。它们可广泛应用于光通信器件、汽车控制电路、电力电子器件、高频微波和电子信息等领域。

这款氮化铝散热片用作LED晶圆的真空吸盘，为了尽可能快速地吸收热量并稳定维持在273°C及以上，该氮化铝陶瓷材料在此加热点不得熔化或变形。H形窗口并非贯穿式，其深度为0.75mm，用于真空通风。表面粗糙度Ra要求尽可能光滑，以防止吸盘/散热片与设备之间发生泄漏。该吸盘用作真空吸盘，在高于300°C或同等温度下不得熔化。

氮化铝材料的主要特性是其高导热系数（≥170 W/mK），使其成为理想的散热材料。由于其优异的导热性和电绝缘性，氮化铝散热片广泛应用于散热基板、LED封装基板、半导体基板、薄膜基板、功率电阻基板和大功率电源模块等领域。

3X Ceramic Parts 公司采用流延成型工艺生产高导热性氮化铝基板。* 高导热系数 ≥170 W/mK * 满足多种金属化应用：DPC、DBC、TPC、AMB、厚膜印刷。* 从源头进行质量控制。

最终用户使用两片氮化铝陶瓷板将石墨元件夹在中间。给 EV2 电阻器通电时，电流流过石墨元件（提供电阻），氮化铝陶瓷板具有优异的导热性，并能保护石墨元件免受腐蚀。

随着电子元件朝着小型化、性能提升、环保节能的方向发展，高密度、高功率、高频高能电子元件在高温环境下的应用日益广泛。

氮化铝坩埚具有优异的热学、机械和电学性能，例如高导热性、低介电常数、与硅匹配的线膨胀系数、优异的电绝缘性、低密度、非晶态。

氮化铝管的特性：高导热系数（170-230W/mK），比氧化铝高9.5倍；与硅(Si)的热膨胀系数相近；更高的电绝缘性；更小的介电常数；更高的m值