氮化硅基片
- 品牌
- 3X陶瓷
- 材质类型
- 氮化硅
- 成型方式
- 热压或者气压
- 起订量
- 5 件
- 规格
- 定制
- 密度
- >3.2g/cm3
- 最高使用温度
- 1200℃
- 热导
- 15~20W/m.k
- 抗压强度
- 2500Mpa
- 抗弯强度
- > 600 Mpa
氮化硅基片描述 :
氮化硅棒可制造以下产品:
-先进陶瓷管
-轴承滚子
-陶瓷切削材料
-Cyrol轴承滚柱
-喷嘴
-密封圈
-管材成型工具
-机械工程特殊应用氮化硅陶瓷基板是以氮化硅(Si3N4)为主要晶相的陶瓷基板,也称为氮化硅陶瓷基板。氮化硅陶瓷是一种高温耐热材料。其导热系数比氧化铝陶瓷高5倍以上,膨胀系数低,与硅的性能相一致。以氮化硅陶瓷为主要原料制成的衬底具有导热系数高、膨胀系数低、强度高、耐腐蚀、电性能优良、透光性好等优良特性。它是LSI理想的散热基板和封装材料。随着中国电子信息产业的蓬勃发展,中国市场对PCB基板的需求不断上升。氮化硅陶瓷基板以其优异的性能,市场占有率不断提高。
(1) 与氧化铝基板或氮化铝基板相比,它具有两倍以上的弯曲强度。
(2) 与氧化铝基板或ZTA基板相比,其导热系数提高了三倍以上。
(3) 高电绝缘
(4) 热膨胀系数与硅相似
碳化硅陶瓷的力学性能和热性能完全符合大功率电子衬底材料的要求。Si3N4陶瓷基材未来广阔的市场前景引起了国际陶瓷企业的关注。目前,只有东芝、京瓷、罗杰斯等公司真正将Si3N4陶瓷基板用于电子器件的实际生产。商用氮化硅陶瓷基片的导热系数一般在56~90W/(m·K)之间。例如,到2016年,日本东芝已占据全球氮化硅基板市场份额的70%。据报道,其Si3N4陶瓷基板产品已用于混合动力电动汽车/纯电动汽车(HEV/EV)市场。