氮化硅陶瓷（Silicon Nitride, Si₃N₄）作为结构陶瓷的重要成员，因其优异的综合性能，在精密工程、半导体制造、航空航天及高端机械系统中被广泛用作定位块（Positioning Block）或定位元件。这类部件通常要求极高的尺寸稳定性、抗变形能力、耐磨性以及对温度变化不敏感的几何保持性，而氮化硅陶瓷恰好满足这些严苛条件。

氮化硅陶瓷具有高强度与高硬度的结合特性。致密烧结态Si₃N₄的弯曲强度可达800–1000 MPa以上，维氏硬度约为15–18 GPa，远高于铝合金和部分工具钢，能够在长期负载下抵抗塑性变形与表面损伤。更重要的是，其断裂韧性可达到6–8 MPa·m¹/²，显著优于氧化铝等传统陶瓷材料，这得益于其独特的长柱状β-Si₃N₄晶粒所形成的“拔出-桥接”增韧机制。这种微观结构赋予材料良好的抗热震性和抗冲击能力，使氮化硅定位块即使在频繁启停、振动载荷或突发温变环境下仍能维持结构完整性，避免脆性断裂导致的功能失效。

氮化硅陶瓷具备出色的热稳定性与低热膨胀系数。其实测线膨胀系数约为3.0–3.5 × 10⁻⁶ K⁻¹（室温至1000°C），接近于某些特种金属合金，这意味着在温度波动时氮化硅陶瓷定位块的尺寸变化极小，能够有效减少因热胀冷缩引起的定位误差。同时，其导热率相对较高（约20–30 W/(m·K)），有助于快速均温，防止局部热点积累引发的应力集中。

氮化硅陶瓷表现出卓越的化学惰性与耐磨性。在常温下，它几乎不与酸、碱及大多数溶剂发生反应（氢氟酸除外），且在潮湿环境中不易腐蚀，适合用于洁净室、半导体湿法刻蚀设备或生物分析仪器等对污染控制极为严格的场合。