SiSiC 碳化硅碟形坩埚
SiSiC碳化硅坩埚具有高强度、耐高温、高硬度、耐腐蚀等特性，且抗热冲击性能良好。
反应烧结碳化硅坩埚采用高纯度微米级碳化硅，经碳硅反应烧结，在1600℃高温高真空条件下制成。含10%～12%游离硅，是一种综合性能优异的结构陶瓷材料。它具有耐高温、耐磨损、摩擦系数小、耐多种化学物质（氢氟酸和强碱除外）等特点。该坩埚可制成形状复杂的零件，烧结前后尺寸变化极小。我公司可根据用户提供的图纸和工况，设计制造出令您满意的产品，最大外径φ600mm，最大高度1000mm。
SiSiC 碳化硅碟形坩埚
SiSiC碳化硅坩埚具有高强度、耐高温、高硬度、耐腐蚀等特性，且抗热冲击性能良好。
反应烧结碳化硅坩埚采用高纯度微米级碳化硅，经碳硅反应烧结，在1600℃高温高真空条件下制成。含10%～12%游离硅，是一种综合性能优异的结构陶瓷材料。它具有耐高温、耐磨损、摩擦系数小、耐多种化学物质（氢氟酸和强碱除外）等特点。该坩埚可制成形状复杂的零件，烧结前后尺寸变化极小。我公司可根据用户提供的图纸和工况，设计制造出令您满意的产品，最大外径φ600mm，最大高度1000mm。
