SiC 碳化硅陶瓷晶片舟

品牌名称
3X陶瓷部件
材料类型
碳化硅
最小起订量
1 件
规格
定制
形状
定制
应用
半导体晶圆船
主物业
易于清洁
交货时间
大约30天
航运方式
快递
包裹
安全包装

耐腐蚀碳化硅陶瓷晶片舟

使用陶瓷晶片舟的优势:

1.耐高温性能极佳,可达3000华氏度(1650℃

2. 具有超强的耐腐蚀性,可抵抗酸、溶剂、盐和有机物的腐蚀,且耐磨损。

3. 易于清洁

4. 抗冲击能力强

5. 防滑

不同型号的陶瓷薄片舟:

半导体制造行业通常在水平或垂直托架上加工晶圆。水平托架通常称为“舟形托架”,由三到四根水平排列的杆组成,呈半圆形,每根杆上都设有等距的内凹凹槽。每组凹槽界定了一个垂直空间,用于放置垂直放置的晶圆。垂直托架通常称为“垂直支架”,由三到四根垂直排列的杆(或立柱)组成,呈半圆形,每根立柱上都设有等距的槽,用于支撑水平放置的晶圆。为了确保该领域所需的几何精度,这三到四根杆固定在顶板和底板上。 立柱上每个槽之间的部分称为“齿”,其间距相同,以便从底板平行且等距地支撑晶圆。然后,将整个支架放置在垂直炉内进行晶圆加工。

由于在垂直烤架上加工的晶圆表面温度梯度较小(与在水平托盘上加工的晶圆相比),半导体制造商越来越多地转向垂直烤炉。然而,垂直烤炉也存在一个缺点。放置在传统垂直烤架上的晶圆仅由其外边缘支撑。因此,晶圆上与这些边缘接触的区域承受的应力高于晶圆的其他部分。当炉内温度超过约1000°C时,这些应力通常会变得非常显著,单晶晶圆的部分区域会沿着晶体学板相互移动以响应这种应力。这种被称为“滑移”的现象会严重破坏位于发生滑移区域的半导体器件的性能。

陶瓷晶片舟样品项目:

2018年5月,一位丹麦客户向我们订购用于6英寸(直径150毫米)、厚度675微米的硅晶圆的水平晶片托架。他们希望该部件采用99%氧化铝陶瓷制成。我们没有适用于客户晶圆尺寸的标准晶片托架,但我们为其定制生产了该部件。

SiC 碳化硅陶瓷晶片舟

SiC 碳化硅陶瓷晶片舟

在这个项目之前,我们制作了一个99%氧化铝水平晶片舟,适用于直径为75~80mm的晶片。

由99%氧化铝陶瓷制成的水平晶片舟

SiC 碳化硅陶瓷晶片舟

我们制造的99%氧化铝陶瓷垂直晶片舟

SiC 碳化硅陶瓷晶片舟

用于装载硅晶片的氧化锆晶片载体

SiC 碳化硅陶瓷晶片舟

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