碳化硅（SiC）陶瓷沟槽结构是先进陶瓷制造中的关键几何特征，广泛应用于半导体加工夹具、高功率电子器件散热基板、耐磨部件流体通道及光学元件精密定位系统中。
碳化硅陶瓷具有极高的硬度（维氏硬度可达25–30 GPa），远超传统金属材料，这使得通过精密磨削或激光加工形成的碳化硅陶瓷沟槽在长期服役过程中仍能保持稳定的尺寸精度和表面光洁度，有效抵抗颗粒冲刷与机械磨损。
碳化硅陶瓷具备出色的热导率（可达120–490 W/(m·K)，具体取决于晶型和纯度），使碳化硅陶瓷沟槽成为高功率密度电子封装中理想的散热沟槽基材。
碳化硅陶瓷的低热膨胀系数（约4.7×10⁻⁶/K）保证了在剧烈温度变化条件下碳化硅陶瓷沟槽几何形状的高度稳定性，避免因热胀冷缩导致的配合松动或结构失效。
