碳化硅载体盘、碳化硅蚀刻盘、ICP蚀刻盘
用于 LED 蚀刻的碳化硅托盘（SiC 托盘）φ 600mm 是深硅蚀刻（ICP 蚀刻机）的特殊配件。
晶圆载体，又称硅晶圆载体或口袋晶圆，广泛应用于半导体的化学气相沉积（CVD）和真空溅射工艺。我们可根据客户不同的应用需求，提供定制的硅和碳化硅材质的晶圆载体。
它可提供带有真空孔和各种特殊形状内槽的轴承板。
碳化硅陶瓷制品采用高纯度超细碳化硅粉末，经2450℃高温烧结而成。碳化硅含量大于99.1%，产品密度≥3.10g/cm3，不含金属硅等金属杂质。
►耐高温性 - 正常使用温度为 1800 ℃；
► 高导热性——与石墨材料的导热性相当；
► 高硬度——硬度仅次于金刚石和立方氮化硼；
►耐腐蚀性——强酸和强碱对其无腐蚀性，其耐腐蚀性优于碳化钨和氧化铝；
► 重量轻——密度为 3.10g/cm3，接近铝；
► 无变形——热膨胀系数极小，
► 耐热冲击性 - 该材料能够承受剧烈的温度变化，具有耐热冲击性、耐快速冷却和加热性能，且性能稳定。
