氮化铝陶瓷

氮化铝圆片应用 : 随着电子元器件向体积缩小、性能提高、环保节能方向发展，高热环境下的高密度、高功率、高频高能电子元器件的散热通量超过100W/cm2，如LED路灯、MOSFET、，IGBT和激光器等元件已成为相关产业发展的关键技术项目。由于布置密集，工作时间长。如果未在包装的散热空间中适当排除

氮化铝特点: 氮化铝坩埚具有优异的热学、力学和电学性能，如高导热系数、低介电常数、与硅相匹配的线膨胀系数、优异的电绝缘性、低密度、无毒、强度更高。随着微电子器件的广泛发展，高导热系数氮化铝陶瓷作为基体材料或封装材料得到了广泛的应用。 氮化铝（AlN）是工业陶瓷家族中较新的材料，是一种具有六方晶

氮化铝管性能 高导热性（170-230W/mK），高达氧化铝的9.5倍 与硅（Si）相似的热膨胀系数 更高的电绝缘性和更小的介电常数 更高的机械强度（450MPa） 优异的抗熔融金属腐蚀性 纯度很高，无毒 氮化铝管在温度超过2000°C的惰性环境中稳定。它具有很高的热导率，但独特的是

氮化铝基片描述: 以氮化铝粉末为原料，采用流延法制备氮化铝基片，并进行高温烧结。它具有AlN材料的所有独特性能，满足电子封装基板的要求，是高密度、大功率和MCM半导体器件、HBLED和封装的关键材料。 氮化铝陶瓷的关键性能： 高导热性，是氧化铝的5到10倍 热膨胀系数与硅的热膨胀系数相匹配